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NTHD2110T
1500
4.5
1400
1300
1200
1100
C ISS
J °
T T J ==25 ° CC
V GS = 0 V
4
3.5
Q T
1000
900
800
3
2.5
700
600
500
2 Q 1
1.5
Q 2
400
300
C OSS
1
200
100
0
C RSS
0.5
0
I D = -6.4 A
T J = 25 ° C
0
2
4
6
8
10
12
0
2
4 6 8 10
12
1000
-V DS , DRAIN-TO_SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 7. Capacitance Variation
6
Q g , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 8. Gate-to-Source and
Drain-to-Source Voltage vs. Total Charge
100
10
V DS = -6 V
I D = -1 A
V GS = -4.5 V
t d(off)
t f
t r
t d(on)
5
4
3
2
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
1
1
0
1
10
100
0
0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9
1
R G , GATE RESISTANCE ( W )
Figure 9. Resistive Switching Time Variation
-V SD , SOURCE-TO-DRAIN VOLTAGE (V)
Figure 10. Diode Forward Voltage vs. Current
vs. Gate Resistance
TYPICAL TVS PERFORMANCE CURVES
110
7
100
90
80
70
60
50
c-t
t d = I PP /2
WAVEFORM
PARAMETERS
t r = 8 m s
t d = 20 m s
6
5
4
3
PULSE WAVEFORM
8 x 20 m s per Figure 11
40
30
20
10
2
1
0
0
5
10
15
20
25
30
0
14
15
16 17 18
19
20
t, TIME ( m s)
Figure 11. Pulse Waveform, 8 × 20 m s
V C , CLAMPING VOLTAGE (V)
Figure 12. Clamping Voltage vs Peak Pulse
Current
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